產(chǎn)品簡(jiǎn)介     

      除了人造金剛石，高阻抗的本征硅（高阻硅）材料是適合極寬范圍從(1.2 µm) 到mm (1000 µm甚至8000 µm)波的各項同性晶體材料。和鉆石相比，它要便宜的多，并且生長(cháng)制造更容易。而且他尺寸更大，更容易制造，THz技術(shù)的快速發(fā)展，就基于該優(yōu)點(diǎn)。對于THz應用，我們提供在1000 µm (對于更長(cháng)波長(cháng)，3000甚至8000微米)透過(guò)率達到50-54%的High Resistivity Float Zone Silicon (HRFZ-Si)。高阻抗浮區本征硅材料，和相關(guān)光學(xué)元件。

      合成電解質(zhì)硅的介電常數由傳導率決定（例如：自由電子-載流子濃度）。圖3顯示的是在1THz下，不同純度下的硅的介電常數.低摻雜的介電常數接近真實(shí)值，大約等于高頻介電常數。隨著(zhù)摻雜濃度的提高，真實(shí)的介電常數將變成負數，而且不能被忽略。介電常數表征的是THz波的傳輸損耗特性。損耗系數可以用下面的公式計算：tanδ=1/(ω*εv*ε0*R), 這里 ω – 圓頻率, εv – 真空下的介電常數（8.85*10-12 F/m）。ε0 –硅的介電常數(11.67), R是電阻值。例如，1THz下，10 kOhm 阻值的HRFZ-Si損耗系數為1.54*10-5。

1mm厚度的高阻抗本征硅窗片的太赫茲時(shí)域光譜儀測試數據

高阻抗本征硅產(chǎn)品

- 高阻抗硅襯底/基片/窗片

- 高阻抗硅球透鏡

- 高阻抗硅分束鏡

- 高阻抗硅鏡頭

1，高阻硅基片                                    2，高阻硅F-P標準具 

3，高阻硅太赫茲半球透鏡                                4，高阻硅太赫茲透鏡

5，高阻硅鏡頭                                                   6，高阻硅棱鏡